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2023-06-14 发布于四川
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本申请提供了一种断电关闭电路、断电关闭芯片及开关芯片，涉及电路技术领域。断电关闭电路用于连接目标金属氧化物半导体场效应晶体管MOS，目标MOS为增强型NMOS，断电关闭电路包括：第一端口、第二端口、第三端口和第四端口。第一端口用于连接目标MOS的栅极，第二端口用于连接目标MOS的源极，第三端口用于连接驱动电源，第四端口用于连接驱动信号；断电关闭电路，用于当驱动电源未起电或驱动信号为低电平时，控制目标MOS的栅极电压和目标MOS的源极电压相等；以及当驱动电源起电且驱动信号为高电平时，使第一端口和第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113114195 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110443449.5 (22)申请日 2021.04.23 (71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用

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