使用多电极提取源用以斜角蚀刻的装置及技术.pdfVIP

使用多电极提取源用以斜角蚀刻的装置及技术.pdf

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一种等离子体源可包括:等离子体室,其中所述等离子体室具有界定第一平面的第一侧;以及提取组件,邻近所述等离子体室的一侧设置,其中所述提取组件包括至少两个电极。第一电极可紧邻所述等离子体室的所述一侧设置,其中第二电极界定沿垂直于所述第一平面的第一方向从所述第一电极的垂直位移,其中所述第一电极包括第一孔,且所述第二电极包括第二孔。所述第一孔可界定沿平行于所述第一平面的第二方向从所述第二孔的横向位移,其中所述垂直位移及所述横向位移界定相对于所述第一平面的垂线的非零倾斜角。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169021 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980076532.4 摩根 ·艾文斯 约瑟 ·C ·欧尔森  (22)申请

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