非易失性电阻式随机存取存储器及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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非易失性电阻式随机存取存储器及其制造方法.pdf

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本发明涉及一种非易失性电阻式随机存取存储器(ReRAM)、非易失性ReRAM成分和一种用于制造非易失性ReRAM的方法。ReRAM包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的电阻式切换/有源层。切换层含有壳聚糖和铝掺杂/掺入的氧化锌。切换/有源层可以被构造为根据施加的电压执行切换操作。切换/有源层可以是膜的形式。切换/有源层可以被涂覆/施加到第一电极上，并且第二电极可以被设置/施加/提供在切换/有源层上方，使得切换/有源层位于/楔入这两个电极中间。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169167 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980078312.5 (74)专利代理机构北京市铸成律师事务所