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本说明书提供一种晶体制备装置及晶体生长方法。该装置包括：生长腔体；至少一个加热单元位于生长腔体内部，其中，至少一个加热单元包括至少一个流通通道，至少一个流通通道贯穿至少一个加热单元，在晶体生长过程中，至少一个加热单元上表面放置源材料。该方法包括：将籽晶和源材料置于生长腔体中生长晶体，其中，源材料分布在位于生长腔体内的至少一个加热单元上表面，其中，至少一个加热单元包括至少一个流通通道，至少一个流通通道贯穿至少一个加热单元；在晶体生长过程中，基于温度传感组件获得的晶体生长时生长腔体内的温度控制至少一
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113106541 B
(45)授权公告日 2021.12.17
(21)申请号 202110363899.3 (51)Int.Cl.
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