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提供有一种纳米存储系统的结构。所公开的单位纳米存储单元包括布置在半导体衬底(301)的表面上的单个隔离的纳米颗粒以及相邻的纳米‑肖特基接触(303)。纳米颗粒用作存储位置,在该存储位置处纳米‑肖特基接触(303)在相对小的电压下用作电子的进或出半导体衬底(301)的源或漏。可以通过对纳米颗粒充电或放电而打开(读数1)或关闭(读数0)通过纳米‑肖特基接触(303)的电流。由于电接触是由衬底(301)的背接触和表面上的纳米‑肖特基接触(303)形成的,并且电荷被存储在非常小的纳米颗粒中,因此这允许获
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113165867 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980074725.6 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所
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