一种外延层的生长方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种外延层的生长方法.pdf

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本发明提供一种外延层的生长方法，包括提供裸晶圆；在裸晶圆表面生长第一外延层，第一外延层掺杂；在第一外延层表面生长第二外延层，第二外延层不掺杂；重复生长第一外延层和第二外延层直至达到预设厚度；通过SEM分析表面形貌以及粗糙度，STEM切片确认各层厚度以及平均的生长速率。本发明采用交替生长方式进行外延层的生长，在掺杂导致晶圆表面电子积累电位变负使生长速率变慢的时，不再进行掺杂，从而使电位变为零电位，有效消除晶圆表面的电子累积效应，提高生长速率；同时在随着掺杂浓度增加，表面粗糙度加大，晶格失配，产生晶

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116259528 A (43)申请公布日 2023.06.13 (21)申请号 202310033853.4 (22)申请日 2023.01.10 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址