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本申请提供了一种钝化层制作方法,涉及半导体技术领域。首先提供一待钝化二极管,其中,待钝化二极管包括相互连接的N型层与P型层,然后利用正硅酸乙酯沿P型层的表面制作二氧化硅层,再去除目标区域内的二氧化硅层,并露出目标区域内的P型层,再对目标区域内的P型层与N型层进行刻蚀,以形成露出PN结的沟槽,最后利用玻璃粉在沟槽内实现电泳玻璃工艺,并将玻璃粉进行烧结,以形成钝化层。本申请提供的钝化层制作方法具有产品性能好、可靠性高以及复杂度低等优点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113324 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110373658.7
(22)申请日 2021.04.07
(71)申请人 捷捷半导体有限公司
地
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