低电容低残压大功率过压保护器件芯片及其制作工艺.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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低电容低残压大功率过压保护器件芯片及其制作工艺.pdf

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本发明公开了一种低电容低残压大功率过压保护器件芯片，包括N型单晶硅片，N型单晶硅片的两侧形成有穿通区及触发区，N型单晶硅片的双面形成有基区，N型单晶硅片双面的基区形成阴极区，N型单晶硅片双面形成有双面氧化层，双面氧化层上位于阳极区与穿通区之间处形成内沟槽台面，内沟槽台面处填充有玻璃层，双面氧化层表面与内沟槽台面结构上形成有二氧化硅保护膜，二氧化硅保护膜、双面氧化层上位于基区、阳极区、阴极区上方光刻形成引线窗口，二氧化硅保护膜、双面氧化层上两侧边缘光刻形成划片槽，本发明实现了高浪涌、低残压、低电容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161347 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110471933.9 (22)申请日 2021.06.02 (71)申请人江苏韦达半导体有限公司