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2023-06-15 发布于四川
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半导体装置与其制作方法。半导体装置包括多个第一半导体层与多个第二半导体层于基板上，第一半导体层彼此分开并沿着实质上垂直于基板的上表面的方向向上堆叠，且第二半导体层彼此分开并沿着实质上垂直于基板的上表面的方向向上堆叠。每一第二半导体层的厚度小于每一第一半导体层的厚度。第一界面层，位于每一第一半导体层周围；第二界面层，位于每一第二半导体层周围；第一偶极栅极介电层，位于每一第一半导体层周围并位于第一界面层上；第二偶极栅极介电层，位于每一第二半导体层周围并位于第二界面层上；第一栅极，位于每一第一半导体层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206087 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110143538.8 (22)申请日 2021.02.02 (30)优先权数据 16/835,75