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- 2023-06-15 发布于四川
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在一些实施例中,本公开涉及一种集成芯片。前述集成芯片包括:基板及位于基板的上层的栅极电极。再者,前述集成芯片包括位于基板的上层且借由间隔物结构与栅极电极横向地间隔开的接触层。间隔物结构可围绕栅极电极的最外侧侧壁。硬遮罩结构可布置在栅极电极之上,且介于间隔物结构的多个部分之间。接触导孔延伸穿过硬遮罩结构,且接触栅极电极。前述集成芯片可进一步包括直接布置在介于硬遮罩结构及间隔物结构之间的衬层,其中衬层与栅极电极间隔开。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206063 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110251396.7 H01L 27/088 (2006.01)
(22)申请日
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