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- 2023-06-15 发布于四川
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本发明提供一种半导体光发射芯片可靠性筛选方法，包括：将需要进行长期可靠性性能验证的芯片采用共晶焊接工艺到焊接芯片热沉上，电源表从0至N1连续加电，形成V‑I曲线；积分球扫得N1+1个测试点电流下的功率Pif_mw，形成P‑I曲线，得出芯片的阈值电流Ith、功率斜率SE等参数；电源表保持定值电流加电；光谱仪扫描芯片中心波长λ±N3nm范围内功率形成光谱，得出芯片的波长等参数；将芯片在高温度90～100℃，高电流100mA以上的极限工作条件下工作20～100小时；老化后再测试，将老化后测得相关测试项
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113203937 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110365032.1
(22)申请日 2021.04.01
(71)申请人 辽宁优迅科技有限公司
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