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本发明的实施例描述了一种用于形成无衬垫或无阻挡件的导电结构的方法。该方法包括在设置在衬底上的钴接触件上沉积蚀刻停止层，在蚀刻停止层上沉积电介质，蚀刻电介质和蚀刻停止层以形成暴露钴接触件的顶面的开口，以及蚀刻钴接触件的暴露的顶面在钴接触件中形成在蚀刻停止层下方横向延伸的凹槽。该方法还包括沉积钌金属以基本填充凹槽和开口，以及使钌金属退火以在钌金属和电介质之间形成氧化物层。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192887 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202011371841.5
(22)申请日 2020.11.30
(30)优先权数据
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