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一种闪存储存装置.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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一种闪存储存装置.pdf

    本实用新型提供了一种闪存储存装置，包括衬底、和设置在所述衬底上的栅堆垛，所述衬底包括沟道区域、源区和漏区，所述沟道区域位于所述源区和所述漏区之间，所述栅堆垛设置在所述沟道区域上，所述栅堆垛由上至下依次为控制栅、阻挡氧化层、电荷俘获层和隧穿氧化层；其中，所述源区连接源极电压VS模块，所述漏区连接漏极电压VD模块，所述控制栅连接栅极电压VG模块。该闪存储存装置可以将浅能级中的陷阱电荷提前移除，从而显著优化了闪存存储装置的保持特性和高温特性。

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219181981 U (45)授权公告日 2023.06.13 (21)申请号 202223235335.0 (22)申请日 2022.11.24 (73)专利权人 天津市滨海新区微电子研究院 地址

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