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本发明提供一种闪存存储器的形成方法，在所述的闪存存储器的形成方法中，先采用第一刻蚀工艺去除部分控制栅层，并去除部分厚度的介质层，以暴露出部分所述介质层，暴露出的所述介质层的底面与所述浮栅层的表面之间形成有阻挡物；然后，采用第二刻蚀工艺去除暴露出的所述介质层，并去除所述阻挡物，以暴露出部分所述浮栅层，如此，在后续采用第三刻蚀工艺去除暴露出的所述浮栅层时，可以避免阻挡物阻挡刻蚀，从而解决因浮栅层表面存在阻挡物而导致的浮栅短路的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192838 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110313021.9
(22)申请日 2021.03.24
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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