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半导体装置的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

    本公开涉及半导体装置的形成方法。提供负电容场效晶体管与铁电场效晶体管装置与其形成方法。栅极介电堆叠包括铁电栅极介电层。依序沉积非晶的高介电常数的介电层与掺质源层，接着进行沉积后退火。沉积后退火可将非晶的高介电常数的介电层转换成多晶的高介电常数膜，其具有掺质所稳定的结晶晶粒于结晶相中，其中高介电常数的介电层为高介电常数的铁电介电层。在沉积后退火之后，可移除残留的掺质源层。形成栅极于残留的掺质源层(若存在)与多晶的高介电常数膜上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206045 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110148791.2 (22)申请日 2021.02.03 (30)优先权数据 16/825,75

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