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提供一种使用单极晶体管的半导体装置,其中稳态电流没有流过且可以利用高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平。半导体装置包括第一至第四晶体管、第一及第二电容元件、第一及第二布线、第一及第二输入端子以及输出端子。第四晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接,第四晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个、第二电容元件的一个端子以及第三晶体管的栅极电连接。第四晶体管的栅极与第一输入端子、第一电容元件的一个端子以及第一晶体管的栅极电连接,第二晶体管的栅极与第二输入端子电连接。第一晶体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113196666 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 201980082466.1 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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