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一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件.pdf

    本发明涉及一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件，具体为提供基底，在基底上形成基础鳍片结构，在所示基础鳍片上形成第一堆栈部和第二堆栈部，第二堆栈部竖直地堆栈在所述第一堆栈部上；所述第一堆栈部具有至少一个I型沟道结构；所述第二堆栈部具有至少一个II型沟道结构；所述第一堆栈部中I型沟道结构的晶面方向垂直于第二堆栈部中II型沟道结构的晶面方向。形成第一环绕式栅极结构，其设置在所述I型沟道结构周围；形成第二环绕式栅极结构，其设置在所述II型沟道结构周围。与现有技术相比，本发明有益的技术效果为

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206090 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110300887.6 (22)申请日 2021.03.22 (71)申请人 中国科学院微电子研究所

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