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一种在任意自支撑衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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一种在任意自支撑衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法.pdf

    本发明公开了一种在任意自支撑衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，首先在任意自支撑衬底上沉积氮化物层，然后将单晶六方结构二维材料(如石墨烯)转移至氮化物层上，形成氮化物和六方结构二维材料复合缓冲层，然后进行AlN的成核以及GaN的外延生长，形成大面积连续GaN单晶薄膜。该方法基于氮化物和六方结构二维材料复合缓冲层，无需利用单晶同质强极性AlN或GaN衬底，也无需对二维材料表面进行破坏性处理形成悬挂键，工艺简单，可重复性好，实现了在任意自支撑衬底上生长单晶GaN薄膜，可用于制作GaN基大功率器件和柔性器

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113206003 B (45)授权公告日 2022.07.01 (21)申请号 202110370494.2 C30B 25/18 (2006.01)

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