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本发明公开了一种自退火芯片及自退火系统，该自退火芯片包括控制模块和加热模块，控制模块包括PMOS总剂量辐射探头，其中，PMOS总剂量辐射探头在受到外部辐射时阈值电压减小；控制模块用于接收参考电压，并在阈值电压减小至小于或等于参考电压的情况下输出第一控制信号从而控制加热模块进行发热；在加热过程中阈值电压经退火后恢复；控制模块还用于在阈值电压恢复至大于参考电压的情况下输出第二控制信号从而控制加热模块停止发热。该自退火芯片具有很好的抗总剂量辐射能力，且能够根据PMOS总剂量辐射探头的阈值电压的漂移情况
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192908 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110451990.0
(22)申请日 2021.04.26
(71)申请人 北京锐达芯集成电路设计有限责任
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