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本发明公开了一种P型槽栅结合极化层结构的GaNHEMT器件，包括依次层叠的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层；沟道层、势垒层和钝化层的长度小于缓冲层的长度以在两侧形成缺口，并在两侧的缺口分别设置漏极和源极；势垒层和钝化层的相同位置分别设置槽栅和通孔，并在槽栅和通孔内设置P型栅极；势垒层与钝化层之间还设置有极化层。本发明克服了传统P‑GaN栅HEMT器件的阈值电压普遍偏低的问题，能够大幅度提升GaNHEMT器件的阈值电压。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113178485 A
(43)申请公布日 2021.07.27
(21)申请号 202110462035.7
(22)申请日 2021.04.27
(66)本国优先权数
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