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- 2023-06-15 发布于四川
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本实用新型涉及金刚石技术领域,尤其涉及一种基板台及化学气相沉积设备。该基板台包括基板台本体、两个以上凹槽和两个以上流体通道,各流体通道上设有阀门,各流体通道贯穿所述基板台本体与各凹槽相通。该化学气相沉积设备包括该基板台。本实用新型能够控制CVD金刚石生长过程中温差在接受范围,有利于CVD金刚石生长,减少生长出现异常的情况,得到的CVD金刚石产品质量高。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219174612 U
(45)授权公告日 2023.06.13
(21)申请号 202320113988.7
(22)申请日 2023.01.16
(73)专利权人 上海晶世创新材料科技有限公司
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