一种半导体制冷器件.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.8万字
约 14页
2023-06-15 发布于四川
举报
版权申诉

一种半导体制冷器件.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明实施例公开了一种半导体制冷器件，包括：供电单元、第一半导体结构、第二半导体结构、第一载流子传导结构、第二载流子传导结构；供电单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极存在电势差；第一载流子在电势差的作用下吸收热量后经第一载流子传导结构至第二半导体结构；第一载流子传导结构远离第一半导体结构的一侧形成制冷端；第二载流子在电势差的作用下释放热量后经第二载流子传导结构至第一电极；第一电极远离第二载流子传导结构的一侧形成散热端。本发明解决了现有技术中采用掺杂或者微结构的方法来提高热电材料的热电品

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113193103 B (45)授权公告日 2022.06.28 (21)申请号 202110470232.3 H01L 35/04 (2006.01) (22)申请日 2021.04