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本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，包括：基底；第一器件，位于基底上；第一接合柱，位于第一器件外周的基底上，且与基底电连接；引线，引线的一端与第一器件电连接形成第一键合点，引线的另一端与第一接合柱电连接形成第二键合点，在基底指向第一器件的方向上，第二键合点不低于第一键合点。本发明实施例有利于降低第一键合点和第二键合点开裂的的概率，以提高半导体结构的稳定性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113161319 B
(45)授权公告日 2022.03.22
(21)申请号 202110442616.4 H01L 21/60 (2006.01)
(22)申请
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