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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供基底，基底中形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构于基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；于基底中形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出部分有源区；于第一沟槽中形成第一导电结构，所述第一导电结构填满第一沟槽；于基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖基底的上表面及第一导电结构的上表面；于第一介质层中形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露出第一导电结构；第二沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的顶部宽度；于第二沟槽中形成第二导电结构。降低了填充形成第一导电结构和第二导电结构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113192892 B
(45)授权公告日 2022.03.08
(21)申请号 202110441655.2 (56)对比文件
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