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本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获得表面平整、无孔洞高质量的AlN薄膜。本发明的制备方法易于实现，便于大规模生产，可广泛应用于制造硅衬底III族氮化物LED以及电力电子器件等半导体器件领域。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113192820 B
(45)授权公告日 2023.04.11
(21)申请号 202110272273.1 (56)对比文件
(22)申请日 2021.03.12
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