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半导体器件和方法.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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半导体器件和方法.pdf

    本申请涉及半导体器件和方法。一种器件，包括：鳍，该鳍从半导体衬底突出；栅极堆叠，该栅极堆叠在鳍的侧壁之上并且沿着鳍的侧壁；栅极间隔件，该栅极间隔件沿着栅极堆叠的侧壁和鳍的侧壁；外延源极/漏极区域，该外延源极/漏极区域在鳍中并且与栅极间隔件相邻；以及角间隔件，该角间隔件在栅极堆叠和栅极间隔件之间，其中，该角间隔件沿着鳍的侧壁延伸，其中，栅极堆叠和鳍的侧壁之间的第一区域中没有该角间隔件，其中，栅极堆叠和栅极间隔件之间的第二区域中没有该角间隔件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206089 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110192760.7 (22)申请日 2021.02.20 (30)优先权数据

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