化学机械抛光方法.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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化学机械抛光方法.pdf

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本发明提供了一种化学机械抛光方法，包括：提供一硅片，所述硅片具有一缺口；形成一层保护层，所述保护层覆盖所述硅片的表面；对所述硅片的缺口进行化学机械抛光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，去除所述保护层。通过在所述硅片的表面覆盖保护层，在对所述硅片的缺口进行化学机械抛光时，抛光液流到所述硅片的表面时，由于所述保护层对所述硅片的表面保护，使得所述硅片的表面不被所述抛光液腐蚀，从而能够解决所述硅片表面的边缘和中间腐蚀不均匀，硅片表面会出现stain(污点)缺陷的问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113178386 A (43)申请公布日 2021.07.27 (21)申请号 202110436761.1 (22)申请日 2021.04.22 (71)申请人上海新昇半导体科技有限公司