原创力文档- 1
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- 2023-06-15 发布于四川
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本公开的各种实施例是针对集成芯片，其包括分别从半导体基板垂直延伸的第一鳍片结构及第二鳍片结构。第一鳍片结构沿着第一方向横向延伸且具有第一宽度。第二鳍片结构沿着第一方向横向延伸且具有小于第一宽度的第二宽度。多个第一纳米结构位于第一鳍片结构的正上方且与第一鳍片结构垂直地分隔一不为零的距离。栅极电极沿着实质上垂直于第一方向的第二方向连续地横向延伸。栅极电极位于第一鳍片结构及第二鳍片结构的正上方，且包绕所述多个第一纳米结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206142 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110296383.1 H01L 27/092 (2006.01)
(22)申请日
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