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一种消除半导体形变的方法.pdfVIP

一种消除半导体形变的方法.pdf

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    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种消除半导体形变的方法，首先将半导体的一面粘接在基板上，半导体的另一面覆盖保护膜，并使基板升温至第一温度，以进行第一阶段热处理，再在基板以预设降温速度降温至常温后，使基板升温至第二温度，以进行第二阶段热处理，通过两个阶段对基板的热处理，以间接对粘接在基板上的半导体进行热处理，从而消除半导体的内应力，进而消除了半导体由于切割等工艺造成的形变。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113192834 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 20201

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