可直接在半导体表面光刻且功函数可调的PDEOT:PSS功能墨水.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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可直接在半导体表面光刻且功函数可调的PDEOT:PSS功能墨水.pdf

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本发明公开了一种可直接在半导体表面光刻且功函数可调的PDEOT:PSS功能墨水，制备方法，包括：将聚合物PEDOT:PSS溶液、表面活性剂、光引发剂、光交联剂和电子掺杂剂混合均匀，得到所述PDEOT:PSS功能墨水，选择基于溶液法制备作为电极的墨水层，可以避开在热蒸发过程中，金属离子会渗透到有机半导体层中，破坏分子堆积结构，影响场效应晶体管性能。同时通过调节功函数可以解决墨水层与有机半导体层的能级不匹配，降低注入势垒，使得器件性能提高。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113174166 A (43)申请公布日 2021.07.27 (21)申请号 202110442652.0 (22)申请日 2021.04.23 (71)申请人天津大学地址 30