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- 2023-06-15 发布于四川
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本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含第一重布结构，其中所述第一重布结构包含第一导电图案。所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构上的裸片。所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构上的模制件，其中所述模制件包围所述裸片，且所述模制件具有第一介电常数。所述半导体结构进一步包含延伸穿过所述模制件的电介质部件，其中所述电介质部件具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数。所述半导体结构进一步包含所述裸片、所述电介质部件及所述模制件上的第二重布结构，其中所述第二重布层包含所述电介质部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206066 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110406457.2 H01L 23/538 (2006.01)
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