半导体装置以及电力变换装置.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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半导体装置以及电力变换装置.pdf

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目的在于提供能够高精度地降低半导体装置中的寄生电容的技术。半导体装置具备：基极区域；源极区域；第2沟槽，贯穿基极区域而到达漂移层；第2保护层，配设于第2沟槽的底部；源极电极，至少一部分配设于第2沟槽内，与第1保护层、基极区域及源极区域电连接；以及第2导电类型的源极侧连接层，形成第2沟槽的侧部的至少一部分，与基极区域和第2保护层连接。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113261079 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 201980087624.2 (74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所