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本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于半导体材料层上方；和存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构延伸穿过该交替堆叠中的一者。横向起伏的背侧沟槽存在于交替堆叠之间，并且包括直沟槽段和隆突沟槽段的横向交替序列。含腔体介电填充结构和接触通孔结构存在于该横向起伏的背侧沟槽中。该接触通孔结构位于该隆突沟槽段内。该接触通孔结构与该交替堆叠的侧壁自对准。附加接触通孔结构可竖直延伸穿过该绝缘层和横向邻接该交替堆叠中的一者的介电间隔物层的子集的介电交替堆叠。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113228278 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 201980085863.4 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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