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    本发明涉及成像系统。半导体器件可包括多个单光子雪崩二极管(SPAD)。半导体器件可包括对入射光敏感的感测单光子雪崩二极管和被屏蔽以免受入射光的暗单光子雪崩二极管。暗单光子雪崩二极管可用于测量半导体器件的一个或多个参数，诸如击穿电压、暗计数率和淬灭电阻。处理电路可基于关于使用暗单光子雪崩二极管获得的一个或多个传感器参数的信息来优化半导体器件的偏置电压。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224090 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110018280.9 (22)申请日 2021.01.07 (30)优先权数据 62/963,65

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