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公开了具有在栅极结构中的掺杂的半导体区的高电子迁移率晶体管。晶体管器件包括：栅极鳍状物，其是半导体本体的被部署在成对的栅极沟槽之间的分段，成对的栅极沟槽被形成在半导体本体的上表面中；多个二维电荷载流子气沟道，其被部署在栅极鳍状物内的不同的竖向深度处；源极接触和漏极接触，其被布置在栅极鳍状物的在栅极鳍状物的电流流动方向上的任一侧上，源极接触和漏极接触的每个被电连接到二维电荷载流子气沟道中的每个沟道；以及栅极结构，其被配置为控制源极接触和漏极接触之间的导电连接。栅极结构包括：掺杂的III族氮化物类型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257899 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110115134.8 H01L 21/335 (2006.01)
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