具有递变多孔介电结构的半导体元件.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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具有递变多孔介电结构的半导体元件.pdf

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本公开提供一种具有递变多孔介电结构的半导体元件。该半导体元件具有一基底、二导电特征、一递变多孔介电结构以及一介电层；该二导电特征相互远离设置，并位于该基底上；该递变多孔介电结构位于该二导电特征之间；该介电层位于其中一个导电特征与该递变多孔介电结构之间；其中该递变多孔介电结构包括一第一部分以及一第二部分，该第一部分具有一第一孔隙率，该第二部分具有一第二孔隙率，且该第二孔隙率高于该第一孔隙率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257813 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110117905.7 (22)申请日 2021.01.28 (30)优先权数据 16/789,09