半导体结构以及其形成方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.45万字
约 15页
2023-06-16 发布于四川
举报
版权申诉

半导体结构以及其形成方法.pdf

1、本文档共15页，其中可免费阅读14页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种半导体结构以及其形成方法，该半导体结构的形成方法包含以下步骤：提供衬底；形成堆叠结构于衬底上；形成阻障层于堆叠结构的侧壁上；形成第一介电层覆盖阻障层以及堆叠结构；移除第一介电层的一部分以暴露出堆叠结构的上部；形成金属层覆盖堆叠结构以及第一介电层；实行退火工艺使金属层与堆叠结构反应，以于堆叠结构的上部形成金属硅化物层；移除金属层的未反应部分；移除阻障层的一部分，以于阻障层的上方形成凹陷；以及形成第二介电层覆盖金属硅化物层以及第一介电层，以于堆叠结构的两侧形成空气间隙，藉此降低导电材料

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257823 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 20201