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2023-06-16 发布于四川
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半导体装置的制造方法.pdf

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提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成下模制件，下模制件具有堆叠在基底上的下层和穿过下层的下沟道结构；形成上模制件，上模制件包括堆叠在下模制件上的上层和穿过上层的上沟道结构；去除上模制件以使下模制件的上表面暴露；从捕获下模制件的上表面的原始图像分离其中显示上沟道结构的迹线的上原始图像与其中显示下沟道结构的下原始图像；将上原始图像输入到学习神经网络中以获取其中显示上沟道结构的剖面的上恢复图像；以及将上恢复图像与下原始图像进行比较以验证上模制件和下模制件的对准状态。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113223977 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110022696.8 (22)申请日 2021.01.08 (30)优先权数据 10-2020-0

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