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2023-06-16 发布于四川
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一种硅掺镓阻挡杂质带中长波红外探测器及制备方法.pdf

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本发明公开了一种硅掺镓阻挡杂质带中长波红外探测器及制备方法。器件的结构器件自下而上依次为衬底，负电极接触层，吸收层，阻挡层，介质层，正电极接触区位于阻挡层左侧并嵌于其中，正电极位于正电极接触区上方，负电极沿着“V”型孔侧壁深及衬底。制备步骤是利用分子束外延法生长负电极接触层、吸收层和阻挡层，离子注入工艺制备正电极接触区，通过光刻、刻蚀和电子束蒸镀工艺制备正负电极，最后刻蚀光敏区氮化硅完成器件制备。利用硅掺镓作为中长波红外吸收层，本征硅作为阻挡层抑制暗电流，实现对中长波红外的高性能探测。本发明的特

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113241386 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110409635.7 (22)申请日 2021.04.16 (71)申请人中国科学院上海技术物理研究所

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