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提供了一种安全芯片、安全芯片的制备方法和电子设备,所述安全芯片包括第一介质层;第二介质层,所述第二介质层设置在所述第一介质层的上方,其中所述第一介质层相对所述第二介质层为光密介质,且所述第一介质层的上表面的粗糙度大于或等于预设阈值,使得从所述第一介质层进入所述第二介质层的光线能够发生全反射和/或散射;半导体芯片,所述半导体芯片设置在所述第二介质层的上方。基于以上技术方案,通过所述第一介质层的上表面能够对从所述第一介质层的下表面入射的光线进行全反射和/或散射,进而使得绝大部分光线无法到达安全芯片正
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113228270 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 201980001602.X (51)Int.Cl.
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