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具有同轴自对准漏极选择层级隔离结构的三维存储器器件及其制造方法.pdfVIP

具有同轴自对准漏极选择层级隔离结构的三维存储器器件及其制造方法.pdf

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    本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠定位在衬底上方；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠；和存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构定位在该存储器开口中的相应一个存储器开口内。多柱支撑介电隔离结构延伸穿过相邻的一对存储器开口的上部部分。该多柱支撑介电隔离结构包括定位在该存储器开口中的相应一个存储器开口内的多个介电柱部分，以及至少一个水平延伸部分，该至少一个水平延伸部分邻接该多个介电柱部分中的每个介电柱部分，并且定位在该交替堆叠内的竖直相邻的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113228280 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 201980079986.7 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理

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