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一种磷化铟衬底的制备方法.pdfVIP

一种磷化铟衬底的制备方法.pdf

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    本发明公开了一种磷化铟衬底的制备方法，依次包括切割、背面研磨、正面减薄、腐蚀、抛光、清洗和包装的步骤。本发明磷化铟衬底的制备方法，创造性地在开发出了研磨结合减薄的方法，来分别处理晶片的正面和背面，可在晶片进行CMP抛光前获得粗糙度Ra值在100‑150nm的主表面来料，极大地减少了抛光前衬底损伤层的厚度，大大地缩短了磷化铟衬底的CMP抛光时间；解决了当前磷化铟衬底制造过程中，因双面研磨工艺带来的衬底表面机械损伤率高、机械损伤层厚、表面粗糙度差、平整度一致性差等一系列问题；通过腐蚀液的改进，减少了

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113206007 B (45)授权公告日 2022.02.22 (21)申请号 202110481295.9 (56)对比文件

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