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发射辐射的器件和制造发射辐射的器件的方法.pdfVIP

发射辐射的器件和制造发射辐射的器件的方法.pdf

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    说明了一种发射辐射的器件（1），具有：‑半导体芯片（2），所述半导体芯片在运行期间从辐射出射面（3）发射第一波长范围的电磁辐射，以及‑灌注体（4），所述灌注体包括基质材料（5）和大量纳米颗粒（6），其中‑所述纳米颗粒（6）在所述基质材料（5）中的浓度从所述半导体芯片（2）的辐射出射面（3）开始降低，使得所述灌注体（4）的折射率从所述半导体芯片（2）的辐射出射面（3）开始降低。此外说明了一种用于制造发射辐射的器件（1）的方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113261122 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 201980088548.7 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公

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