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本发明题为“电子器件”。本发明公开了一种电子器件。该电子器件可包括管芯,该管芯包括:二极管,该二极管包含半导体基础材料,该半导体基础材料包含第14族元素;以及高电子迁移率晶体管,该高电子迁移率晶体管处于该半导体层上,其中该高电子迁移率晶体管耦接到该二极管。在一个实施方案中,该管芯可包括隔离区,该隔离区使该二极管的阴极电极或阳极电极与该高电子迁移率晶体管的载流电极中的每一者隔离。在另一实施方案中,该管芯可包括电连接件,该电连接件被配置为使得当该高电子晶体管处于导通状态时,该二极管处于阻断状态,并且
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224052 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202011381953.9
(22)申请日 2020.12.01
(30)优先权数据
16/748,48
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