半导体元件.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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半导体元件.pdf

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本公开提供一种半导体元件，是具有一多孔介电结构以降低导电特征之间的电容耦合。该半导体元件具有一基底、一栅极结构、二源极/漏极区、二多孔间隙子、一多孔盖层以及一隔离层；该栅极结构位在该基底上；该二源极/漏极区位在邻近该栅极结构的两侧处；该二多孔间隙子位在该源极/漏极区与该栅极结构之间，其中该二多孔间隙子的孔隙率介于大约25％到大约100％之间；该多孔盖层位在该栅极结构上，并位在该二多孔间隙子之间，其中该多孔盖层的一孔隙率是介于大约25％到大约100之间；该隔离层设置在该二多孔间隙子与该多孔盖层上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257812 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110068997.4 (22)申请日 2021.01.19 (30)优先权数据 16/788,10