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包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdfVIP

包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf

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    本申请案涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括：在衬底上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。在所述堆叠中形成水平拉长的沟槽以形成横向间隔开的存储器块区。在所述沟槽中的个别沟槽的底部区中形成催化材料。将金属材料无电沉积到所述催化材料的催化表面上以个别地填充所述个别沟槽的至少大部分剩余体积。沟道材料串形成且延伸穿过所述第一层和所述第二层。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257830 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110135995.2 (22)申请日 2021.02.01 (30)优先权数据 16/787,91

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