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本发明提供一种光掩模结构和一种光刻设备。所述光掩模结构包括掩模版和防尘膜框架，所述掩模版包括芯片图案区域和位于芯片图案区域周围的边缘区域，所述边缘区域内设置有透光结构；所述防尘膜框架设置在所述掩模版的背面，所述防尘膜框架在掩模版背面的正投影位于边缘区域内，且所述透光结构设置于防尘膜框架在掩模版背面的正投影的范围内。利用所述光掩模结构进行曝光时，曝光光线周围的散射光在透过透光结构后被防尘膜框架阻挡而难以传递到基片表面，可以降低在基片表面产生非必要图像的风险，有助于提高曝光质量及生产良率。所述光刻设
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113238454 A
(43)申请公布日 2021.08.10
(21)申请号 202110342840.6
(22)申请日 2021.03.30
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
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