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本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的多个交替堆叠，该多个交替堆叠位于衬底上方；存储器堆叠结构的集群，该集群竖直延伸穿过该交替堆叠中的相应一者；和位线，该位线电连接到该竖直半导体沟道的相应子集的上端。在一个实施方案中，该位线的子集可包括相应的多层级结构。每个多层级结构包括位线层级位线段和位于与该位线层级位线段不同层级处的互连线段。在另一个实施方案中，交替堆叠组可沿着垂直于该位线的水平方向交替地缩进，以提供位于横向缩进区中的介电材料部分。连接接触通孔结构的金属线结构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113228252 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 201980086226.9 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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