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2023-06-16 发布于四川
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一种基于GaAs HEMT工艺的施密特触发器.pdf

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本发明公开了一种基于GaAsHEMT工艺的施密特触发器，包括场效应晶体管fet1、fet2、fet3、fet4，输入端IN与电阻R1连接，电阻R另一端依次串接电阻R2、R3后连接电源负端VSS，电阻R1与电阻R2之间引出端子连接fet1的栅极，fet1的漏极经电阻R4连接电源正端VDD；电源正端经电阻R5连接fet3的漏极、经电阻R6连接fet4的漏极；fet1的源极、fet2的源极、fet3的源极、fet4的源极连接电源负极VSS；fet1的漏极连接fet3的栅极；fet3的漏极连接fet4

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113225050 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110539735.1 (22)申请日 2021.05.18 (71)申请人芜湖麦可威电磁科技有限公司

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