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本发明公开了一种单片湿法清洗机台的防反蚀的刻蚀方法,包括:步骤一、将晶圆固定卡置在卡置装置上,晶圆的边缘和顶针接触;步骤二、卡置装置旋转并带动晶圆旋转;步骤三、供液喷嘴将清洗液喷射到晶圆的第一表面进行刻蚀;刻蚀中调节供液喷嘴的喷射位置来实现防反蚀,包括:供液喷嘴的喷射位置在喷射区间内来回移动;喷射区间的圆心和晶圆的圆心重合;喷射区间的边缘到晶圆的边缘之间形成清洗液的加速区间,加速区间的宽度保证所有清洗液通过旋转加速达到晶圆的边缘时具有完全脱离顶针的速度。本发明能在单片湿法刻蚀中出现反蚀,能保证刻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113223931 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110458527.9
(22)申请日 2021.04.27
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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